Acheter Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI1N60 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

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AOI1N60

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

Numéro d'article

AOI1N60

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-50°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Package d'appareil du fournisseur

TO-251A

Dissipation de puissance (maximum)

45W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 650mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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