HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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SiS407DN-HXY P-channel 20V 30A

SiS407DN-HXY

P-channel 20V 30A
Numéro d'article
SiS407DN-HXY
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
DFN-8L(3x3)
Emballage
taping
Nombre de paquets
5000
Description
P-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 30A, RDON on-resistance 15mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.4-1.0V,
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