onsemi (Ansemi)
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SBRA8160T3G
60V 1A 720mV@1A 60V, 1.0A, Schottky diode
Numéro d'article
SBRA8160T3G
Catégorie
diode > Schottky diode
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA
Emballage
taping
Nombre de paquets
5000
Description
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low voltage, high frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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