onsemi (Ansemi)
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RFD3055LESM9A N-Channel 60V 11A N-Channel, Logic Level, Power MOSFET, 60V, 11A, 107mΩ

RFD3055LESM9A

N-Channel 60V 11A N-Channel, Logic Level, Power MOSFET, 60V, 11A, 107mΩ
Numéro d'article
RFD3055LESM9A
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DPAK-3
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
These N-channel enhancement mode power MOSFETs are produced using the latest manufacturing processes. This process uses a feature size close to that of an LSI circuit, enabling optimal utilization of silicon, resulting in excellent performance. These devices are suitable for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. Such transistors can be run directly in integrated circuits. The previous development model was TA49158.
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Coordonnées
Mots-clés de RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A Composants électroniques
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