onsemi (Ansemi)
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NXH100B120H3Q0STG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0STG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Numéro d'article
NXH100B120H3Q0STG
Catégorie
Power IC > Power Module
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
-
Emballage
tray
Nombre de paquets
24
Description
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En stock 80099 PCS
Coordonnées
Mots-clés de NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Composants électroniques
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