onsemi (Ansemi)
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NGTD17T65F2WP Trench Field Stop 650V IGBT 600V 40A FS2 Die

NGTD17T65F2WP

Trench Field Stop 650V IGBT 600V 40A FS2 Die
Numéro d'article
NGTD17T65F2WP
Catégorie
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMD
Emballage
bagged
Nombre de paquets
1
Description
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses.
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