onsemi (Ansemi)
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MBRM110ET1G 10V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V

MBRM110ET1G

10V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V
Numéro d'article
MBRM110ET1G
Catégorie
diode > Schottky diode
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
POWERMITE
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
POWERMITEPower encapsulation The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle, using barrier metal and epitaxial structure, which can produce an optimized forward voltage drop-reverse current trade-off. This advanced encapsulation technology can be used to achieve energy-efficient miniature, space-saving devices. Due to its unique thermal design, Powermite has the same thermal performance as SMA, but with a 50% smaller footprint and a height profile of < 1.1 mm, one of the smallest in the industry. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size performance are critical.
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En stock 70953 PCS
Coordonnées
Mots-clés de MBRM110ET1G
MBRM110ET1G Composants électroniques
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