onsemi (Ansemi)
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FFSH20120ADN-F085
1.2kV 15A 1.45V@10A SiC, dual die, 1200 V, 20 A
Numéro d'article
FFSH20120ADN-F085
Catégorie
diode > Schottky diode
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-247-3
Emballage
Tube
Nombre de paquets
450
Description
Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. Silicon carbide's no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance make it a next-generation power semiconductor product. System benefits include highest energy efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
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Coordonnées
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Mots-clés de FFSH20120ADN-F085
FFSH20120ADN-F085 Composants électroniques
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