HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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FDV303N-HXY
N-channel 20V 2.3A
Numéro d'article
FDV303N-HXY
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
SOT-23
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 2.3A, RDON on-resistance 55mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
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