onsemi (Ansemi)
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FDC3601N Dual N-Channel, 100V Specified PowerTrench MOSFET, 1.0A, 500mΩ

FDC3601N

Dual N-Channel, 100V Specified PowerTrench MOSFET, 1.0A, 500mΩ
Numéro d'article
FDC3601N
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SSOT-6
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
These N-channel 100V specified MOSFETs are produced using the advanced PowerTrench process, which is specially adapted to minimize on-resistance while maintaining low gate charge for excellent switching performance. Suitable for applications where more expensive SO-8 and TSSOP-8 encapsulations are not possible, these devices offer superior power dissipation in a very small footprint.
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En stock 86857 PCS
Coordonnées
Mots-clés de FDC3601N
FDC3601N Composants électroniques
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