onsemi (Ansemi)
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2N7000-D26Z N-channel 60V 200mA N-channel enhancement mode field effect transistor 60V, 200mA, 5Ω

2N7000-D26Z

N-channel 60V 200mA N-channel enhancement mode field effect transistor 60V, 200mA, 5Ω
Numéro d'article
2N7000-D26Z
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-92-3
Emballage
taping
Nombre de paquets
2000
Description
This N-channel small-signal MOSFET is produced using ON Semiconductor's proprietary high-cell-density DMOS technology designed to minimize on-resistance while providing robust, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver up to 2A of pulsed current, especially for low voltage, low current applications.
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