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SQS420EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
Numéro d'article
SQS420EN-T1_GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® 1212-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Dissipation de puissance (maximum)
18W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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