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SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Numéro d'article

SQS415ENW-T1_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8W

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8W

Dissipation de puissance (maximum)

62.5W (Tc)

Type FET

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16.1 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4825pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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