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SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Numéro d'article
SQJB80EP-T1_GE3
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Puissance - Max
48W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
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Coordonnées
Mots-clés de SQJB80EP-T1_GE3
SQJB80EP-T1_GE3 Composants électroniques
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