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SQD50N05-11L_GE3

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Numéro d'article

SQD50N05-11L_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252AA

Dissipation de puissance (maximum)

75W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

50V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2106pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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Coordonnées

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