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SQ2319ES-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Numéro d'article

SQ2319ES-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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