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SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Numéro d'article

SIZ926DT-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Puissance - Max

20.2W, 40W

Package d'appareil du fournisseur

8-PowerPair® (6x5)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

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