Acheter Vishay Siliconix SISA40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SISA40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

Numéro d'article

SISA40DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8

Dissipation de puissance (maximum)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

43.7A (Ta), 162A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3415pF @ 10V

Vgs (Max)

+12V, -8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 54884 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8