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SIR188DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60V

Numéro d'article

SIR188DP-T1-RE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

25.5A (Ta), 60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.85 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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