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SIR124DP-T1-RE3

SIR124DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8
Numéro d'article
SIR124DP-T1-RE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET® Gen IV
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (maximum)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
80V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1666pF @ 40V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
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Coordonnées
Mots-clés de SIR124DP-T1-RE3
SIR124DP-T1-RE3 Composants électroniques
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SIR124DP-T1-RE3 Fournisseur
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