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SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Numéro d'article

SIHG33N65E-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247AC

Dissipation de puissance (maximum)

313W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

32.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

173nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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