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SIA443DJ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Numéro d'article

SIA443DJ-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SC-70-6

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SC-70-6 Single

Dissipation de puissance (maximum)

3.3W (Ta), 15W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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