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SIA441DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Numéro d'article

SIA441DJ-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SC-70-6

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SC-70-6 Single

Dissipation de puissance (maximum)

19W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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