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SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Numéro d'article

SIA413DJ-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SC-70-6

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SC-70-6 Single

Dissipation de puissance (maximum)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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