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SI9424BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Numéro d'article

SI9424BDY-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

1.25W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±9V

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