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SI8481DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Numéro d'article

SI8481DB-T1-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen III

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-UFBGA

Package d'appareil du fournisseur

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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