Acheter Vishay Siliconix SI8416DB-T2-E1 MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SI8416DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Numéro d'article

SI8416DB-T2-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UFBGA

Package d'appareil du fournisseur

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Dissipation de puissance (maximum)

2.77W (Ta), 13W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 4V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 12081 PCS

Coordonnées