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SI8416DB-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Numéro d'article

SI8416DB-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UFBGA

Package d'appareil du fournisseur

6-microfoot

Dissipation de puissance (maximum)

2.77W (Ta), 13W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 4V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

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