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SI8405DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

Numéro d'article

SI8405DB-T1-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-XFBGA, CSPBGA

Package d'appareil du fournisseur

4-Microfoot

Dissipation de puissance (maximum)

1.47W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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