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SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Numéro d'article

SI7956DP-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8 Dual

Puissance - Max

1.4W

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8 Dual

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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