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SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Numéro d'article
SI7949DP-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Puissance - Max
1.5W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.2A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Coordonnées
Mots-clés de SI7949DP-T1-E3
SI7949DP-T1-E3 Composants électroniques
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