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SI7852ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Numéro d'article

SI7852ADP-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1825pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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