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SI7812DN-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Numéro d'article

SI7812DN-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8

Dissipation de puissance (maximum)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

75V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 35V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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