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SI7138DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Numéro d'article

SI7138DP-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

5.4W (Ta), 96W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 19.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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