Acheter Vishay Siliconix SI7135DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SI7135DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Numéro d'article

SI7135DP-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8650pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à chen_hx1688@hotmail.com, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 9673 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8