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SI6968BEDQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

Numéro d'article

SI6968BEDQ-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-TSSOP

Type FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.2A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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