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SI5997DU-T1-GE3

SI5997DU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Numéro d'article
SI5997DU-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Puissance - Max
10.4W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® ChipFet Dual
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
430pF @ 15V
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Coordonnées
Mots-clés de SI5997DU-T1-GE3
SI5997DU-T1-GE3 Composants électroniques
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