Acheter Vishay Siliconix SI5908DC-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

SI5908DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Numéro d'article

SI5908DC-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Puissance - Max

1.1W

Package d'appareil du fournisseur

1206-8 ChipFET™

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.4A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 11038 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8