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SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Numéro d'article
SI5905BDC-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
3.1W
Package d'appareil du fournisseur
1206-8 ChipFET™
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 4V
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Coordonnées
Mots-clés de SI5905BDC-T1-E3
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