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SI5904DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Numéro d'article

SI5904DC-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Puissance - Max

1.1W

Package d'appareil du fournisseur

1206-8 ChipFET™

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.1A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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