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SI5519DU-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Numéro d'article

SI5519DU-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Puissance - Max

10.4W

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® ChipFet Dual

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

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