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SI5511DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Numéro d'article

SI5511DC-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Puissance - Max

3.1W, 2.6W

Package d'appareil du fournisseur

1206-8 ChipFET™

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A, 3.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

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