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SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Numéro d'article

SI5471DC-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Package d'appareil du fournisseur

1206-8 ChipFET™

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2945pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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