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SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Numéro d'article
SI4948BEY-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1.4W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Mots-clés de SI4948BEY-T1-GE3
SI4948BEY-T1-GE3 Composants électroniques
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