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SI4122DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC

Numéro d'article

SI4122DY-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Ta), 6W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

27.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±25V

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