Acheter Vishay Siliconix SI4116DY-T1-E3 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

SI4116DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Numéro d'article

SI4116DY-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à chen_hx1688@hotmail.com, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 37434 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC