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SI1926DL-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Numéro d'article

SI1926DL-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Puissance - Max

510mW

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-6 (SOT-363)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

370mA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 340mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 30V

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