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SI1054X-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Numéro d'article
SI1054X-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-563, SOT-666
Package d'appareil du fournisseur
SC-89-6
Dissipation de puissance (maximum)
236mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
-
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.57nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 6V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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