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SI1035X-T1-GE3

SI1035X-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Numéro d'article
SI1035X-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-563, SOT-666
Puissance - Max
250mW
Package d'appareil du fournisseur
SC-89-6
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
180mA, 145mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Mots-clés de SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3 Composants électroniques
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