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SI1031R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
Numéro d'article
SI1031R-T1-GE3
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur
SC-75A
Dissipation de puissance (maximum)
250mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
140mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
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Mots-clés de SI1031R-T1-GE3
SI1031R-T1-GE3 Composants électroniques
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